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Descripción
Transistor de potencia bipolar, tipo NPN, Vceo 100 V min., Ico 6 A max., hFE 15 min. 75 max. @Ic 3 A, fT 3 MHz min., Pd 65 W @ 25° Celsius, encapsulado TO-220AB. Diseñados para propósito general, salida de audio y switcheo rápido.
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Especificaciones
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